第661章 光刻机的发展（2 / 2）

突破生产瓶颈。

其实这时候的国内在前沿科技领域并不算特别落后，跟美苏之间的差距也不过是工业方面变现的生产能力。

就比如生产芯片的光刻机技术，就有包括华科、1445电子所、机电部45所等多家机构院所在研究。

这一时期主流上仍然使用的是接近式光刻机，这时期的掩模版不与硅片直接接触，而是在光刻机中加入测量工具，让两者间的距离尽量贴近。

但是光具有衍射性，会造成投影边缘模糊，进而造成精度下降、有较大的投影误差。

直到1974年美国PE推出投影式光刻机，把掩模版上的图形经过三次折射之后投射在硅片上，这样就能有效消除误差达到理想的分辨率，良品率直接从10%提高到70%以上。从而让芯片的价格大幅度下降。

后来在1978年GCA公司又推出DSW4800步进投影式光刻机，把掩模版上的图形缩小到原有的四分之一到五分之一，然后再投射到硅片上，一举提高了曝光强度和分辨率上限，让光刻机精度进入微米级。

而红星实验室在聂鹏飞的引导下，一开始的发展方向就是投影式，并且在机电部45所及后来的西山试验基地的配合下，实验性的造出了第一台投影式光刻机。

虽然各方面可能还不如后来PE推出的光刻机，而且良品率更是低到惨不忍睹的3%，但总归是走在正确的道路上。